Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 9
Несмотря на высокую эффективность очистки в органических растворителях, технология такого обезжиривания связана с определенными трудностями (многократная очистка, большой расход, высокая стоимость и токсичность большинства растворителей).
Исключительными особенностями обладает фреон, который не токсичен и обеспечивает высокую эффективность очистки.
Химическое обезжиривание основано на разрушении молекул жира растворителями, не воздействующими на материал пластины (подложки). Его отличительной особенностью является отсутствие вероятности повторного загрязнения пластин.
Для химического обезжиривания кремниевых пластин наиболее часто применяют горячий (75-80°С) перекисно-аммиачный раствор (водный раствор смеси пергидроля и щелочи ), который удаляет все жиры. Процесс обезжиривания сопровождается выделением атомарного кислорода в результате разложения пергидроля (этому способствует и наличие щелочи). Атомарный кислород окисляет как органические, так и неорганические загрязнения.
Для очистки, основанной на переводе омыляемых жиров в легко растворимые в воде мыла` (соли), применяют обработку поверхности в мыльных растворах. Этим способом удаляют растительные и животные жиры - загрязнения от остатков сложных эфиров глицерина и высокомолекулярных органических кислот. Химическое обезжиривание характеризуется низкими токсичностью и стоимостью.
4.2.2. Травление.
Процесс травления пластин и подложек состоит в растворении их поверхности при взаимодействии с соответствующими химическими реагентами (щелочами, кислотами, их смесями и солями). В результате удаляются приповерхностный слой и имеющиеся на поверхности загрязнения. Различают химическое и электрохимическое травление полупроводников.
4.2.2.1. Химическое травление пластин кремния происходит на границе твердой и жидкой сред, и его можно рассматривать как гетерогенную реакцию.
Процесс травления состоит из пяти стадий: диффузии реагента к поверхности; адсорбции реагента; поверхностной химической реакции; десорбции продуктов реакции; диффузии продуктов реакции от поверхности. Скорость всего процесса определяется скоростью наиболее медленной (контролирующей) стадии. При травлении кремния контролирующими стадиями могут быть либо диффузия реагента к поверхности, либо поверхностная химическая реакция, что определяется видом травителя и энергией активации стадий процесса.
* Травители, для которых контролирующей стадией является диффузия, называются полирующими.
ПРИДНЕПРОВСКАЯ НИЗМЕННОСТЬ (Днепровская низменность) , по левобережью Днепра, на Украине. Высота до 226 м. Рельеф плоский, слаборасчлененный. Большая часть территории распахана.
ЖЕГИН (наст . фам. Шехтель) Лев Федорович (1892-1969), российский художник и теоретик искусств. Сын Ф. О. Шехтеля. Активный член общества "Маковец". В своей живописи и графике предпочитал простые пейзажные и жанровые мотивы в духе "тихого искусства", насыщая их философски созерцательным настроением. Занимался также исследованием формально-композиционных основ древнерусского искусства (книга "Язык живописного произведения", 1970).
ВОРТ (Worth) Чарлз Фредерик (1825-95) , первый кутюрье, основатель ведущей во 2-й пол. 19 в. фирмы мод в Париже, названной его именем. Ворт родился в Англии, во Франции с 1845. В 1857 в Париже совместно со шведом Бабергом (вскоре отошел от дел) Ворт основал свою фирму, где впервые модели одежды создавались не на заказчицу, а на манекенщицу (первой манекенщицей была его жена). Модели Ворта пользовались популярностью во всем мире и неоднократно отмечались медалями на международных выставках (ввел в моду кринолины и турнюры). Его дело с 1890 продолжили сыновья Гастон и Жан Филипп, однако, выдержать конкуренцию с новыми творцами моды не смогли. В 1954 имя Ворта купила одна из английских фирм.