Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 12

Селективное травление используют для локальной обработки полупроводниковых пластин, в том числе для создания изолирующих областей при изготовлении ИМС.

4.2.2.2. Электрохимическое травление основано на химических превращениях, которые происходят при электролизе.

Для этого полупроводниковую пластину (анод) и металлический электрод (катод) помещают в электролит, через который пропускают электрический ток. Процесс является окислительно-восстановительной реакцией, состоящей из анодного окисления (растворения) и катодного восстановления.

Кинетика анодного растворения определяется концентрацией дырок, генерируемых на поверхности полупроводниковой пластины.

Электрохимическое травление кремниевых пластин производят в растворах, содержащих плавиковую кислоту, при возрастающей плотности тока. При этом вначале происходит образование на поверхности пластины слоя оксида кремния, в состав которого входит фтористокремниевый комплекс , окисляющийся в водных растворах с выделением водорода согласно реакции:

(6)

(7)

Затем происходит анодное растворение кремния в плавиковой кислоте:

(8)

Такой процесс называют также электрополировкой.

Электрохимическое травление применяют как для очистки поверхности пластин, так и для их локальной обработки.

4.2.3. Промывание пластин и подложек.

На различных этапах изготовления ИМС производят неоднократно промывание пластин и подложек. Для промывания применяют дистиллированную, бидистиллированную и деионизованную воду.

Промывание обязательно производится после обезжиривания и травления. Его назначение - удаление остатков загрязнений, продуктов реакции и остатков реагентов.

4.2.4. Интенсификация процессов очистки.

Для ускорения наименее медленных стадий процессов очистки с целью повышения качества очистки и производительности процессов используют различные способы их интенсификации, которые достигаются применением физических, химических и комбинированных средств.

К физическим средствам относятся нагрев, кипячение, вибрация, обработка струёй, гидроциркуляцией, протоком, гидромеханическая обработка, центрифугирование, ультразвуковая обработка, плазма.

К химическим средствам относятся поверхностно-активные вещества, комплексообразователи, катализаторы. Комбинированные средства основаны на использовании физических и химических средств.

Применение тех или иных средств позволило разработать наиболее эффективные способы обезжиривания, травления, промывания и создать необходимое для их осуществления оборудование.

Страницы: 8 9 10 11 12 13 14 15 16

ФАЭТОН , в греческой мифологии сын бога солнца Гелиоса. Управляя колесницей отца, Фаэтон не смог сдержать огнедышащих коней, которые, приблизившись к земле, едва не спалили ее; чтобы предотвратить катастрофу, Зевс поразил Фаэтона ударом молнии, и он, пылая, упал в реку.

ДМИТРИЕВ Владимир Карпович (1868-1913) , российский экономист-математик и статистик. С помощью линейных уравнений разработал способ выражения полных затрат труда.

ЕЛЯН Эдуард Ваганович (р . 1926), российский летчик. Заслуженный летчик-испытатель СССР (1967), полковник, Герой Советского Союза (1971). Испытание первого советского сверхзвукового пассажирского самолета Ту-144.