Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 11

Следует отметить, что очистке поверхности полупроводниковых пластин путем их обработки в полирующих травителях предшествует обязательное обезжиривание поверхности.

Для ряда травителей энергия активации химической реакции на порядок и более превышает энергию активации, определяющую скорость диффузии реагента. В этом случае скорость травления определяется скоростью химической реакции :

(5)

где и - концентрации реагирующих веществ; R - универсальная газовая постоянная; а и b - показатели, численно равные коэффициентам в уравнении химической реакции.

Поскольку энергия активации химической реакции зависит от неоднородности поверхности, скорость травления чувствительна к состоянию поверхности. Так как различные кристаллографические плоскости структуры кремния имеют разное значение , то скорость травления зависит от ориентации пластин, а также от температуры.

* Травители, для которых контролирующей стадией является химическая реакция, называются селективными.

В качестве селективных травителей пластин кремния используют водные растворы щелочей (например, NaOH, КОН) и гидразин гидрат '.

Для селективных травителей характерная разница скоростей травления в различных кристаллографических направлениях достигает одного порядка и более. Так, для щелочных травителей изменение скорости травления соответствует схеме (100) >(110)> (111).

Травление с большой разницей скоростей травления в различных кристаллографических направлениях называют анизотропным.

Страницы: 7 8 9 10 11 12 13 14 15

ЗВУКОВОЕ ДАВЛЕНИЕ , переменное избыточное давление, возникающее в среде при прохождении звуковой волны. Обычно звуковое давление мало по сравнению с постоянным давлением в среде. Звуковое давление следует отличать от давления звука.

ЮНЕП , см. Программа ООН по окружающей среде.

ГЕРРЕРО (Guerrero) , штат на юге Мексики. 63,7 тыс. км2. Население 2,6 млн. человек (1991). Адм. ц. - Чильпансинго.