Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 11

Следует отметить, что очистке поверхности полупроводниковых пластин путем их обработки в полирующих травителях предшествует обязательное обезжиривание поверхности.

Для ряда травителей энергия активации химической реакции на порядок и более превышает энергию активации, определяющую скорость диффузии реагента. В этом случае скорость травления определяется скоростью химической реакции :

(5)

где и - концентрации реагирующих веществ; R - универсальная газовая постоянная; а и b - показатели, численно равные коэффициентам в уравнении химической реакции.

Поскольку энергия активации химической реакции зависит от неоднородности поверхности, скорость травления чувствительна к состоянию поверхности. Так как различные кристаллографические плоскости структуры кремния имеют разное значение , то скорость травления зависит от ориентации пластин, а также от температуры.

* Травители, для которых контролирующей стадией является химическая реакция, называются селективными.

В качестве селективных травителей пластин кремния используют водные растворы щелочей (например, NaOH, КОН) и гидразин гидрат '.

Для селективных травителей характерная разница скоростей травления в различных кристаллографических направлениях достигает одного порядка и более. Так, для щелочных травителей изменение скорости травления соответствует схеме (100) >(110)> (111).

Травление с большой разницей скоростей травления в различных кристаллографических направлениях называют анизотропным.

Страницы: 7 8 9 10 11 12 13 14 15

ДЕСЯТИБОРЬЕ , легкоатлетическое многоборье, проводится в 2 дня: 1-й - бег на 100 и 400 м, прыжки в длину и в высоту, толкание ядра; 2-й - бег на 110 м с барьерами, метание диска, прыжки с шестом, метание копья, бег на 1500 м. Выступление в каждом виде оценивается в очках (по специальной таблице); победитель определяется по лучшей их сумме.

ДЖОЗЕФСОНА ЭФФЕКТ , протекание сверхпроводящего тока через тонкий (~10 Е) слой диэлектрика, разделяющий два сверхпроводника (т. н. контакт Джозефсона). Эффект предсказан Б. Джозефсоном (1962). На его основе создан сверхпроводящий квантовый интерферометр (сквид), с помощью которого уточнены значения ряда фундаментальных физических постоянных. Джозефсона эффект используется в криогенных приборах, а также в качестве быстродействующих логических элементов ЭВМ.

МАКРОВИЙ Новодунский (ум . 320), христианский мученик, придворный, пострадавший в гонение императора Лициния. Память в Православной церкви 13 (26) сентября.