Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легированииСтраница 10
(8)
При простейшем анализе структур и в простейших моделях процессов легирования в технологии изготовления ИМС предполагаются именно такие условия диффузии.
Второе уравнение диффузии (второй закон Фика) получается путем сочетания первого закона и принципа сохранения вещества, согласно которому изменение концентрации вещества в данном объеме должно быть равно разности потоков этого вещества на входе в объем и выходе из него.
В общем случае второе уравнение диффузии имеет следующий вид
(9)
Для одномерной диффузии в изотропной среде уравнение (9) можно записать
(10)
Второй закон Фика характеризует процесс изменения концентрации диффундирующей примеси во времени в различных точках среды и является математической моделью нестационарного (развивающегося) состояния системы (описывает период времени от начала процесса до установления стационарного состояния).
При постоянстве коэффициента диффузии D (независимости его от концентрации примеси) уравнение (10) упрощается
(11)
Допущение о постоянстве коэффициента диффузии справедливо в большом количестве случаев, анализируемых в технологии ИМС.
Уравнения диффузии являются чисто феноменологическими, т.е. они не содержат никаких сведений о механизмах диффузии - о диффузионном процессе на атомном, уровне. Кроме того, уравнения (7) - (11) не содержат информации о зарядовом состоянии диффундирующих частиц.
Процессы диффузии, используемые для изготовления интегральных структур, обычно анализируются с помощью частных решений уравнения (11) т.к., в отличие от (8), именно оно содержит важный параметр - время установления некоторого анализируемого состояния системы. Основная цель решения уравнения - найти распределение примеси N(x,t) в полупроводнике после диффузии в течение определенного времени t при различных условиях осуществления процесса.
ГАВАНА (La Habana) , столица Кубы, административный центр пров. Гавана. Имеет статус самостоятельной провинции. Город Гавана (Ciudad de la Habana). 2,1 млн. жителей (1989). Главный порт страны (св. 3/5 импорта, ок. 1/4 экспорта). Международный аэропорт Хосе Марти. Металлургический комбинат, машиностроение, нефтеперерабатывающая, химическая, фармацевтическая, пищевкусовая, текстильная, кожевенно-обувная, полиграфическая промышленность. Университет. Академия наук. Гавана основана в 1515. С кон. 16 в. административный центр испанской колонии на о. Куба. В 1762-63 оккупирована Великобританией, во время испано-американской войны 1898 - США. С 1902 столица Республики Куба. Национальный музей, Дом-музей Э. Хемингуэя и др. Архитектурные памятники 16-18 вв., в т. ч. кафедральная площадь с собором 18 в.
НИЦШЕ (Nietzsche) Фридрих (1844-1900) , немецкий философ, представитель философии жизни. Профессор классической филологии Базельского университета (1869-79). Испытал влияние А. Шопенгауэра и Р. Вагнера. Творческая деятельность Ницше оборвалась в 1889 в связи с душевной болезнью. В "Рождении трагедии из духа музыки" (1872) противопоставил два начала бытия - "дионисийское" (жизненно-оргиастическое) и "аполлоновское" (созерцательно-упорядочивающее). В сочинениях, написанных в жанре философско-художественной прозы, выступал с анархической критикой культуры, проповедовал эстетический имморализм ("По ту сторону добра и зла", 1886). В мифе о "сверхчеловеке" индивидуалистический культ сильной личности ("Так говорил Заратустра", 1883-84; "Воля к власти", опубликовано 1889-1901) сочетался у Ницше с романтическим идеалом "человека будущего".
ЖИРОНДА (Gironde) , эстуарий рек Гаронна и Дордонь, во Франции. Открывается в Бискайский зал. Длина 75 км, наименьшая глубина на фарватере 8 м. Порт Ле-Вердон.