Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Страница 4

4) Гетероэпитаксиальные структуры типа кремний на сапфире.

Однослойные пластины кремния р- и n-типов получают резкой слитков монокристаллического кремния диаметром 50-150 мм на пластины толщиной 0,25-0,4 мм. Промышленностью выпускаются слитки монокристаллического кремния, которые в зависимости от типа электропроводности и значения удельного сопротивления подразделяются на пять групп.

Подготовка пластин, получаемых из слитков монокристаллического кремния, является одним из важнейших этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков по кристаллографическим осям, резку слитков на пластины, шлифование, полирование, травление и очистку поверхностей от загрязнений различных типов, приобретённых на предыдущих этапах обработки.

3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин.

3.1. Возникновение загрязнений.

Электрические характеристики ИМС и их надежность во многом обусловливаются степенью совершенства кристаллической решетки и чистотой обрабатываемой поверхности пластин и подложек. Поэтому обязательным условием получения бездефектных полупроводниковых и пленочных структур является отсутствие на поверхности пластин и подложек нарушенного слоя и каких-либо загрязнений.

Как известно, нарушенный приповерхностный слой полупроводниковых пластин является следствием их механической обработки. Используемые при подготовке пластин методы шлифования, полирования и травления позволяют удалить нарушенный слой (рис. 1).

Рис. 1.

Изменение толщины нарушенного слоя при механической обработке монокристаллических полупроводниковых пластин:

1) после резки; 2) после шлифования; 3)после полирования; 4) после травления.

Однако атомы материала пластины (подложки), расположенные на ее поверхности, имеют намного больше ненасыщенных связей, чем атомы в объеме. Этим объясняются высокие адсорбционные свойства и химическая активность поверхности пластин.

В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода примесей невозможно. В то же время получить идеально чистую поверхность (без посторонних примесей) тоже практически невозможно. Поэтому применяемое в технике понятие «чистая поверхность» имеет относительный характер. Технологически чистой считают поверхность, которая имеет концентрацию примесей, не препятствующую воспроизводимому получению заданных значений и стабильности параметров ИМС. Допустимая концентрация примесей на поверхности пластин зависит от сложности ИМС и способа ее формирования, в худшем случае она не должна превышать .

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8

ЖИМЕРСКИЙ (пс . Роля, Rola) Михал (1890-1989), маршал Польши (1945). Во 2-ю мировую войну с января 1944 главнокомандующий Армией Людовой, с июля 1944 - Войском Польским. В 1945-49 министр Национальной обороны.

НИКОЛС (Nichols; наст . имя Михаил Игорь Пешковский) Майк (р. 1931), американский актер и режиссер. Родился в Германии, по происхождению из русско-еврейской семьи. Актерскую карьеру начинал комиком на эстраде. С 1963 театральный режиссер. Дебютировал в кино экранизацией пьесы Э. Олби "Кто боится Вирджинии Вульф?" Наибольший успех принес ему фильм "Выпускник" (1967), ставший манифестом "нового" Голливуда. Николс был самым популярным и кассовым режиссером 1970-х гг. В дальнейшем снял фильмы: "Деловая девушка" (1988), "Волк" (1994) и др.

КАЗАКОВ Юрий Иванович (р . 1924), российский баянист, народный артист СССР (1985). С 1958 солист Москонцерта. Исполнитель-виртуоз, способствовал утверждению баяна как сольного инструмента.