Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластинСтраница 2
Интегральная и функциональная микроэлектроника являются фундаментальной базой развития всех современных систем радиоэлектронной аппаратуры. Они позволяют создавать новый вид аппаратуры - интегральные радиоэлектронные устройства.
Микроэлектроника - одно из магистральных направлений в радиоэлектронике, и уровень ее развития в значительной степени определяет уровень научно-технического прогресса страны.
Применяют два основных метода изготовления ИМС - полупроводниковый и пленочный.
Первый метод заключается в локальной обработке микроучастков полупроводникового кристалла и придании им свойств, присущих функциям отдельных элементов и их соединений (полупроводниковые интегральные микросхемы).
Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы).
В обоих случаях важное значение имеет качество обработки поверхности полупроводниковых пластин и подложек.
* Подложка - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.
2. Подложки интегральных микросхем и их назначение.
Подложки в технологии изготовления и конструировании пленочных и гибридных ИМС в микросборках играют очень важную роль. Подложки являются основанием для группового формирования на них ИМС, главным элементом конструкции ИМС и микросборок, выполняющим роль механической опоры, обеспечивают теплоотвод и электрическую изоляцию элементов.
2.1. Назначение подложек.
В технике ИМС подложки выполняют две функции:
а) являются основанием, на поверхности или в приповерхностном слое которого по заданному топологическому рисунку формируют структуры ИМС;
б) являются элементом конструкции, обеспечивающим практическое применение ИМС в корпусном или бескорпусном исполнении.
Подложки классифицируют как по структурным признакам, так и по назначению. По структурным признакам подложки подразделяют на аморфные, поликристаллические и монокристалличёские, а по назначению - на подложки для полупроводниковых, пленочных, гибридных ИМС и микросборок.
Для изготовления полупроводниковых ИМС применяют в основном полупроводниковые монокристаллические подложки (полупроводниковые пластины), а для пленочных и гибридных ИМС - аморфные поликристаллические (диэлектрические) подложки.
* Полупроводниковая пластина - заготовка из полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковых ИМС.
КОЗЬМА ПРУТКОВ , коллективный псевдоним, под которым в журналах "Современник", "Искра" и др. выступали в 50-60-е гг. 19 в. поэты А. К. Толстой и братья Жемчужниковы (Алексей, Владимир и Александр Михайловичи). Сатирические стихи, афоризмы Козьмы Пруткова и самый его образ высмеивали умственный застой, политическую "благонамеренность", пародировали литературное эпигонство.
РАДОНОВЫЕ ВАННЫ , из воды естественных радоновых источников или обычной пресной воды, насыщенной радоном, для лечения заболеваний опорно-двигательного аппарата, периферической нервной системы и др.
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ , возникновение электрической поляризации в веществе в отсутствие электрического поля при упругих деформациях (прямой пьезоэлектрический эффект) и появление механических деформаций под действием электрического поля (обратный пьезоэлектрический эффект). Первое исследование пьезоэлектрического эффекта осуществлено П. Кюри (1880) на кристалле кварца. Пьезоэлектрический эффект обнаружен более чем у 1500 веществ (см. Пьезоэлектрические материалы). Пьезоэлектрический эффект наблюдается у всех сегнетоэлектриков и у многих пироэлектриков.