ChemStudy

Однако при изготовлении ИМС возможные виды загрязнений проявляются комплексно, а на различных стадиях изготовления к качеству чистоты поверхности предъявляются различные требования. Поэтому для качественной и эффективной очистки пластин и подложек разрабатывают типовые процессы очистки, представляющие собой комбинирование различных способов очистки, выполняемых в определенной последовательности. В составе таких процессов основными операциями являются обезжиривание, травление, промывка, сушка.

На протяжении всех этапов изготовления кристаллов полупроводниковых ИМС очистку полупроводниковых пластин проводят многократно - после механической обработки пластин и перед основными операциями формирования структур: окислением, эпитаксиальным наращиванием, диффузией, металлизацией, фотолитографией (и после нее), защитой.

5. Заключение.

В заключении своего реферата приведу пример типового процесса обработки пластин кремния перед термическим окислением, который включает следующие операции:

1) обезжиривание в горячем (75-80°С) перекисно-аммиачном растворе;

2) промывание в проточной деионизованной воде (удаление продуктов реакции предыдущей обработки);

3) обработка в горячей (90-100°С) концентрированной азотной кислоте (удаление ионов металлов);

4) промывание в проточной деионизованной воде (удаление остатков кислот);

5) гидродинамическая обработка пластин бельичими кистями в струе деионизованной воды;

6) сушка пластин с помощью центрифуги в струе очищенного сухого воздуха;

7) травление в растворе фтористоводородной кислоты (снятие поверхностного слоя и удаление загрязнений).

6. Список литературы.

1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Учебное пособие для ВУЗов. М., "Высшая школа", 1986.

2. Зи Ф.М. Технология СБИС. М., "Мир", 1986.

ФАЗОВАЯ ДИАГРАММА , то же, что диаграмма состояния.

ЯР (тюрк .), высокий крутой берег, подмываемый рекой.

РЕАКТИВНАЯ МОЩНОСТЬ , величина, характеризующая нагрузки, создаваемые в электротехнических устройствах колебаниями энергии электромагнитного поля. Для синусоидального тока равна произведению действующих тока I и напряжения U на синус угла сдвига фаз между ними: Q = UIsin ?. Единица измерения - вар.