Физхимия
Физхимия
Страница 5

tg α = - ∆Нпл.1/ R 2,3

tg α = ((- 0,25 –(-0,05)) / (0,66-1,00))*103 = (-0,2/0,34)*103 = - 588

∆Нпл Ве = - tg α * R*2,3 = 588 - 8,31 * 2,3 = 12238 (Дж/моль)

Справочное значение плавления ∆Нпл Ве = 14700 (Дж/моль), что удовлетворительно совпадает с полученным результатом.

3.3. Задача 3

а) На диаграмме состояния системы Bi-Pt (рис.5) имеются два химических соединения Bi2Pt и BiPt.

1. Химическое соединение Bi2Pt (состав 31,82 масс. % Pt) – плавится инконгруэнтно – на линии ликвидуса нет максимума. Температура плавления Bi2Pt tпл = 660 °С.

2. Химическое соединение BiPt (состав: 48,28 масс.% Pt) плавится конгруэнтно – на линии ликвидуса есть максимум. Температура плавления BiPt tпл = 770 °С.

б) линия ликвидуса ТА0Е1Р1М1Е2ТВ0;

линия солидуса ТА0NВСДЕFGТВ0.

Выше линии ликвидуса находится гомогенное поле жидкой фазы Iж. Все остальные поля на диаграмме – гетерогенные.

1. Гетерогенные поля смеси жидкой фазы и кристаллов:

ж + Bi; ж + М2; ж + М1; ж + М1; ж + Pt

2. Гетерогенные поля смеси твердых фаз

Bi + М2; М2 + М1; М1 + Pt

в) На диаграмме имеются три линии безвариантных равновесий, соответствующих температурам t1 = 730°С; t2 = 660°С; t3 = 270°С

1. Горизонтальная линия t1 = 730°С – это линия эвтектического превращения, которое сводится к одновременной кристаллизации двух твердых фаз – вещества Pt и вещества М1 (BiPt) из жидкого расплава.

Уравнение эвтектического превращения:

ЖЕ2 = ТМ1 + ТPt,

где ЖЕ2 – жидкость (расплава);

ТМ1 , ТPt - твердые фазы М1 и Pt, соответственно.

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7

"НЬЮ-ЙОРК ДЕЙЛИ НЬЮС" ("New York Daily News") , ежедневная газета в США, с 1919.

ПРИТЧА , малый дидактико-аллегорический литературный жанр, заключающий в себе моральное или религиозное поучение ("премудрость"). Близка к басне; в своих модификациях - универсальное явление в мировом фольклоре и литературе (напр., притчи Евангелий, в т. ч. о блудном сыне).

ФАЗОИНВЕРТОР (от фаза и инвертор) , устройство, преобразующее входной электрический сигнал в 2 сигнала, сдвинутых по фазе на 180 °. Выполняется на электронной лампе, транзисторе и др. электронных приборах. Применяется, напр., в радиотехнических устройствах, измерительной аппаратуре.