Химия кадмия Химия кадмияСтраница 6
Осаждение из растворов Cd(OH)2 начинается при pH=8. В присутствии NH4Cl гидроокись не выпадает вследствие образования тетрааммина Cd(NH3)4; винная и лимонная кислоты также препятствуют ее осаждению.
![]()
Гидроксид кадмия относится к числу труднорастворимых соединений. Произведению растворимости даны значения от 1·10-14 до 2,62-15. Если в растворе присутствуют ионы, образующие с кадмием комплексные соединения, то равновесие реакции Cd(OH)2 4OH-+Cd2+ смещается вправо, т.е. в сторону растворения осадка, например при действии KCN на осадок Cd(OH)2 образуется комплексный анион [Cd(CN)4]2-, в растворе которого концентрация иона Cd2+ значительно меньшая, чем в насыщенном растворе Cd(OH)2. В последнем составляет 1,3·10-5.
Ион CN- образует с кадмием комплексный анион [Cd(CN)4]2- константа нестойкости которого равна:
K=[Cd2+][CN-]4/[Cd(CN)4]2-=1·10-7.
Энтропия Cd(OH)2 S298=21,2 кал/град. Равновесный потенциал реакции 2OH-+Cd2+=Cd(OH)2+2e, в щелочной среде принимается равным 0,815 в.
Оксид кадмия (II)
![]()
При нагревании на воздухе кадмий загорается, образуя оксид кадмия CdO (молекулярный вес 128,41). Окись можно получить также прокаливанием азотнокислой или углекислой солей кадмия. Этим путем оксид получается в виде бурого порошка, имеющего две модификации: аморфную и кристаллическую. Аморфная окись при нагревании переходит в кристаллическую, кристаллизуясь в кубической системе: она адсорбирует углекислый газ и ведет себя как сильное основание. Теплота превращения CdOАМОРФН CdOКРИСТ
ЖЕНЕВСКИЕ СОГЛАШЕНИЯ 1954 об Индокитае , приняты на совещании министров иностранных дел СССР, КНР, Великобритании, США и Франции (Женева, 26 апреля - 21 июля; в подготовке соглашений участвовали также представители ДРВ, Камбоджи, Лаоса и Юж. Вьетнама). Положили конец длившейся с сентября 1945 войне Франции против Вьетнама, Лаоса и Камбоджи.
ХУССЕЙ Б . А., см. Усай Б. А.
ШОТТКИ ДИОД , полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании свойств контакта металл - полупроводник; названного по имени немецкого физика В. Шоттки (W. Schottky; 1886-1976), создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрических сигналов на частотах до 50 ГГц и как сверхбыстродействующий переключатель.