ChemStudy

ΔЕ = 1.1 эВ при абсолютной температуре больше 0 электроны могут попадать в зону проводимости, т.е. вырваться из локализованного состояния, разорвать химические связи, при этом электрон в зоне проводимости будет свободно менять энергию, а значит может участвовать в проводимости. ЭДП – собственная проводимость п/п. Истинными носителями тока являются электроны.

Общая характеристика элементарных п/п:

С – изолятор

Pb – фактически металл

В ряду С – Sn наблюдается падение ΔЕ и температуры плавления, увеличение проводимости и длины ковалентной связи. Последнее играет существенную роль т.к. это уменьшает ее прочность и энергию этой связи. Закономерный рост проводимости, а также уменьшение ΔЕ и температуры плавления, микро твердости является следствием прочности связи. Благодаря своим свойствам Si и Ge являются основными п/п материалами, из которых изготавливают диоды и триоды, термосопротивления, оптические линзы. ΔЕ(Si)>ΔЕ(Ge)=>Si приборы работают при более высоких температурах: температура работы Ge = 60-80°С, а температура работы Si =200°С, более того Si самый распространенный элемент после О => Si находит все большее применение благодаря навым методам его очитки.

ЧОЛПОН-АТА , город (с 1975) в Киргизии, Иссык-Кульская обл., на северном берегу оз. Иссык-Куль, в 75 км от г. Иссык-Куль. 11 тыс. жителей (1991). Климатический и бальнеогрязевой курорт. Молочный комбинат. Историко-краеведческий музей. Дом-музей М. Ауэзова.

"НОВЫЙ ДЕСТУР" ("Новый Дустур") , см. в ст. Социалистическая дестуровская партия.

ИНФАРКТ (от лат . infarctus - набитый), очаг омертвления в тканях вследствие нарушения их кровоснабжения при спазме, тромбозе, эмболии сосудов (инфаркт миокарда, почки и т. д.).